Электроны проводника свободно перемещаются в пределах его границ, а при поглощении достаточной энергии могут и выходить наружу, преодолев стенку потенциальной ямы у поверхности тела (рис. 10.6). Это явление называется эмиссией электронов (в отдельном атоме аналогичное явление называется ионизацией).
При Т = 0 энергия, необходимая для эмиссии, определяется разностью между уровнями W = 0 и уровнем Ферми Е Р (рис. 10.6) и называется работой выхода. Источником энергии могут быть фотоны (см. параграф 9.3), вызывающие фотоэмиссию (фотоэффект).
Рис. 10.6
Причиной термоэлектронной эмиссии является нагревание металла. При искажении функции распределения электронов (см. рис. 10.5, б) се «хвост» может выйти за пределы среза потенциальной ямы, т.с. у некоторых электронов хватает энергии, чтобы покинуть металл. Обычно этим пользуются для поставки электронов в вакуум.
Простейший прибор, использующий термоэмиссию, - электровакуумный диод (рис. 10.7, а). Его катод К накаляется от источника ЭДС ? и и испускает электроны, которые создают ток иод действием электрического ноля между анодом и катодом. Электровакуумный диод отличается от фотодиода в основном источником энергии, вызвавшей эмиссию электронов, поэтому их вольтамперные характеристики похожи. Чем больше напряжение U a между анодом и катодом, тем большую часть электронов из их облака у катода вытягивает электрическое поле в единицу времени. Поэтому с ростом напряжения U a ток I растет. При некоторых напряжениях ноле вытягивает уже все электроны, покидающие катод, и дальнейший рост напряжения к росту тока нс приводит - происходит насыщение.
Рис. 10.7
ВОПРОС. Почему ток насыщения при Т, больше, чем при Г, (рис. 10.7, б)? ОТВЕТ. При Т 2 > Г, больше электронов покидает катод в единицу времени.
При обратной полярности приложенного напряжения («минус» подключен к аноду, а «плюс» - к катоду) электроны не ускоряются, а тормозятся, поэтому электровакуумный диод способен пропускать ток только в одну сторону, т.е. он обладает односторонней проводимостью. Это позволяет применять его для выпрямления тока (рис. 10.7, в): во время действия положительной полуволны напряжения диод пропускает ток, а во время отрицательной - нет.
В 1907 г. американец Ли де Форест дополнил диод третьим электродом- сеткой, который позволил усиливать электрические сигналы. Такой триод стали затем дополнять и другими электродами, что позволило создавать разного рода усилители, генераторы и преобразователи. Это обусловило бурное развитие электротехники, радиотехники и электроники. Далее эстафету подхватили полупроводниковые приборы, вытеснившие электровакуумные лампы, но в ЭЛТ, рентгеновских трубках, электронных микроскопах и некоторых вакуумных лампах термоэмиссия ио-нрежнему актуальна.
Еще одним источником эмиссии электронов может быть бомбардировка поверхности материала различными частицами. Вторичная электрон-эле- ктронная эмиссия возникает в результате ударов внешних электронов, передающих часть своей энергии электронам вещества. Такую эмиссию используют, например, в фотоэлектронном умножителе (ФЭУ) (рис. 10.8, а). Его фотокатод 1 испускает электроны под действием света. Их ускоряют в направлении электрода (динода) 2, из которого они выбивают вторичные электроны, те ускоряются к диноду 3 и т.д. В результате первичный фототок умножается до такой степени, что ФЭУ способен регистрировать даже отдельные фотоны.
Рис. 10.8
Тот же принцип применили и в ЭОП (см. параграф 9.3) нового поколения. Он содержит сотни тысяч ФЭУ (по числу пикселей, формирующих изображения объектов), каждый из которых представляет собой металлизированный микроканал шириной ~ 10 мкм. По этому каналу так же зигзагообразно, как свет в оптоволокне и как электроны в ФЭУ, движутся электроны, размножаясь при каждом соударении со стенками канала вследствие вторичной эмиссии. Поскольку траектория электронов пренебрежимо мало отличается от прямолинейной (лишь в пределах ширины канала), то пакет таких каналов, расположенный между фотокатодом и экраном (рис. 10.8, б), избавляет от необходимости фокусировки фотоэлектронов (сравните с рис. 9.4). Каждый канал осуществляет не только размножение электронов, но и перенос их в требуемую точку, что обеспечивает четкость изображения.
При вторичной ионно-электронной эмиссии первичными частицами - носителями энергии являются ионы. В газоразрядных приборах они обеспечивают воспроизводство электронов из катода, которые затем размножаются путем ионизации молекул газа (см. параграф 5.9).
Существует и весьма экзотичный вид эмиссии, происхождение которого объясняется принципом неопределенности Гейзенберга. Если у поверхности металла есть электрическое поле, ускоряющее электроны, то на потенциальный уступ 1 накладывается прямая еЕх (2 на рис. 10.6), и уступ превращается в барьер 3. Если полная энергия электрона равна W, т.е. на АW меньше высоты барьера, то по классическим представлениям «взять» его, т.е. выйти наружу, он не может. Однако по квантовым представлениям электрон - это еще и волна, которая не только отражается от оптически более плотной среды, но и преломляется. При этом наличие функции у внутри барьера означает конечную вероятность обнаружить там электрон. На «классический» взгляд, это невозможно, так как полная энергия электрона W, а ее составляющая - потенциальная энергия - равна в этой области W + AVK, т.е. часть оказывается больше целого! В то же время существует некоторая неопределенность AVK энергии, которая зависит от времени At пребывания электрона внутри барьера: AWAt >h. С уменьшением At: неопределенность AW может достичь требуемой величины, и решение уравнения Шредингера дает конечные значения | р | 2 с внешней стороны барьера, т.е. существует вероятность того, что электрон выйдет наружу, не перепрыгивая через барьер! Она тем выше, чем меньше AW п At.
Эти выводы подтверждаются па практике наличием туннельного, или подбарьерного, эффекта. Он даже находит применение, обеспечивая эмиссию электронов из металла в полях напряженностью ~10 6 -10 7 В/см. Поскольку такая эмиссия происходит без нагревания, облучения или бомбардировки частицами, ее называют автоэлектронной. Обычно она происходит со всевозможных остриев, выступов и т.и., где напряженность ноля резко возрастает. Она может привести и к электрическому пробою вакуумного промежутка.
В 1986 г. Нобелевской премией по физике отмечено основанное на туннельном эффекте изобретение сканирующего электронного микроскопа. Ее лауреаты - немецкие физики Э. Руска и Г. Бинниг и швейцарский физик Г. Рорер. В этом приборе тонкая игла сканирует вдоль поверхности на малом от нее расстоянии. Возникающий при этом туннельный ток несет информацию об энергетических состояниях электронов. Таким образом удается получить изображение поверхности с атомной точностью, что особенно важно в микроэлектронике.
Туннельный эффект ответствен за рекомбинацию при ионно-электронной эмиссии (см. выше), за электризацию трением, при которой электроны из атомов одного материала туннелируют к атомам другого. Он определяет и обобществление электронов при ковалентной связи, ведущей к расщеплению энергетических уровней (см. рис. 10.5, а).
26.07.14 11:28
Электронной эмиссией называется вылет электрона из металла (или другого какого-либо тела) и переход его в другую фазу (газ или вакуум) под действием добавочной энергии, сообщаемой электрону извне. Хотя в атомах поверхностного слоя любого тела электроны находятся на различных энергетических уровнях и, следовательно, обладают различной энергией, без подвода энергии извне только очень малая их доля (те электроны, которые обладают повышенной энергией) может пройти потенциальный барьер и выйти в другую фазу; остальные электроны остаются всегда в пределах своих атомов и молекул.
Наблюдается несколько типов электронной эмиссии (фото, термо и т. д.), в их числе и автоэлектронная (холодная) эмиссия - вырывание электронов под действием сильных электрических полей. Для осуществления эмиссии последнего рода требуется очень высокий градиент поля. Н. А. Кротова, В. В. Карасев, Ю. М. Кириллова и др. провели опыты, которые доказали, электризацию поверхностей отрыва и электронную эмиссию при быстром отрыве пленки от подложки.
Значение разрядных потенциалов, зазоров между пленкой и подложкой и плотности электризации поверхностей получены авторами на основе расчетов при помощи вспомогательного графика (кривой Пашена), причем энергия двойного электрического слоя принималась ими равной максимальной работе отрыва.
Опыты по установлению эмиссии электронов при отрыве пленок от подложек были проведены при помощи вакуумного адгезиометра при давлении около 10-5 мм рт. ст. Против границы отрыва на расстоянии 1 см на стеклянной пластинке помещался флуоресцирующий экран. Экран при отрыве в вакууме различных полимерных пленок от стеклянной подложки вспыхивал голубовато-зеленым светом; в темноте свечение было хорошо заметно даже на расстоянии нескольких метров.
Замечено было, что и стеклянная пластинка в местах, где идет отрыв пленки, также светится зеленоватым светом.
Почернение фотопластинки
Следовательно, у границы отрыва возникает излучение, вызывающее флуоресценцию экрана и стекла. Дальнейшие опыты показали, что это излучение вызывает также почернение фотопластинки, если она укреплена на месте флуоресцирующего экрана. Фотопластинка чернела при отрыве от подложки самых различных по своей структуре высокополимеров: натурального и синтетического каучуков, гуттаперчи, полиизобутилена, различных эфиров целлюлозы, полимеров винилового ряда и др.
Излучение наблюдалось при отрыве этих полимеров как от стекла, так и от металла. Авторы пришли к заключению, что это излучение не может быть ни рентгеновскими лучами, ни видимым светом: оно представляет собой поток электронов. В этом их убеждает также опыт по исследованию влияния магнитного поля на излучение. Как известно, фотоны, т. е. видимые и рентгеновские лучи в магнитном поле не отклоняются от своего прямолинейного пути: магнитное поле на них не действует.
По-другому ведут себя положительно или отрицательно заряженные частицы: первые отклоняются к отрицательному полюсу, вторые - к положительному. При напряженности магнитного поля около 25-30 эрстед авторам удалось получить достаточно четкое изображение неотклоненного и отклоненного пучка электронов.
В последнее время (1965-1966 гг.) автор книги совместно с Ю. М. Евдокимовым исследовал по новой методике электрические явления на границе контакта субстрат-адгезив. Изучалась адгезия некоторых полимеров к силикатному стеклу и металлам (сталь марки X и 1Х18Н9Т). Из полимеров были выбраны эфиры целлюлозы (ацетобутират (АБЦ), ацетопропионат и трипропионат целлюлозы), хлорсульфополиэтилен и липкий пластырь.
Склейки этих полимеров с подложками готовились путем налива 10%-ных растворов полимеров в соответствующих растворителях (ацетоне, четыреххлористом углероде) на обезжиренные поверхности подложек, за исключением липкого пластыря, который дублировался с подложкой путем прикатывания резиновым валиком.
Электронная эмиссия
Электрические явления выбранных систем (подложка+пленка) исследовались на вакуумном адгезиометре и по методике, предложенной Б. В. Дерягиным и Н. А. Кротовой.
После отрыва разъединенные поверхности у всех систем имели противоположные по знаку электрические заряды, которые контролировались на струнном электрометре (описание его см. ниже). Стекло и металлы во всех случаях заряжались положительно, а отрываемые поверхности полимеров - отрицательно. Были получены снимки электронной эмиссии, возникающей при отрыве полимерных пленок от стекла и металлов.
Электронная эмиссия обнаружена у всех исследуемых систем. На снимках видно неравномерное почернение пластинки. По-видимому, центры эмиссии электронов возникают в результате отрыва отдельных участков полимера от подложки. Хорошо заметно, что излучение идет параллельно поверхности пленки: наибольшее излучение заметно у границы отрыва, меньшее у излучающей пленки полимера.
При отрыве хлорсульфополиэтилена от стекла получены отдельные вспышки, которые, по-видимому, возникают при отрыве отдельных участков полимера от стекла; с удалением границы отрыва от пластинки, почернение фотопластинки не наблюдается, по всей вероятности, вследствие малой интенсивности излучения.
Подтверждением эмиссии электронов служит также снимок экрана из бумаги при засвечивании фотопластинки излучением, наблюдавшимся при отрыве полимерной пленки от подложки. На снимке ясно видны темный участок - следствие экранирования лучей бумажным экраном, и светлые участки - результаты действия на пластинку электронов, не встретивших на своем пути непрозрачного экрана. Эти снимки служат прямым доказательством электронной эмиссии, что говорит об определенной роли электрических сил, осуществляющих сцепление тел при контакте.
В узлах кристаллической решетки металлов находятся положительные ионы, а между ними свободно движутся электроны. Они как бы плавают по всему объему проводника, так как силы притяжения к положительным ионам решетки, действующие на свободные электроны, находящиеся внутри металла, в среднем взаимно уравновешиваются. Действие сил притяжения со стороны положительных ионов на электроны мешает последним выйти за пределы поверхности металла.
Лишь наиболее быстрые электроны могут преодолеть это притяжение и вылететь из металла. Однако совсем покинуть металл электрон не может, так как притягивается положительным поверхностным ионом и тем зарядом, который возник в металле в связи с потерей электрона. Равнодействующая этих сил притяжения не равна нулю, а направлена внутрь металла перпендикулярно его поверхности (рис. 1).
Через некоторое время электрон под действием этих сил может возвратиться в металл. Среди электронов, находящихся вблизи поверхности металла, найдется большое число таких, которые временно будут покидать металл, а затем возвращаться обратно. Этот процесс напоминает испарение жидкости. В конце концов устанавливается динамическое равновесие между покидающими и возвращающимися электронами. Таким образом, на границе металла с вакуумом возникает двойной слой электрических зарядов, поле которого подобно полю плоского конденсатора. Электрическое поле этого слоя можно считать однородным (рис. 2). Разность потенциалов в этом слое называется контактной разностью потенциалов между металлом и вакуумом.
Этот двойной электрический слой не создает поля во внешнем пространстве, но препятствует выходу электронов из металла.
Как показывают расчеты и специально поставленные опыты, толщина этого слоя мала и равна примерно 10 -10 м.
Таким образом, чтобы покинуть металл и уйти в окружающую среду, электрон должен совершить работу A в против сил притяжения со стороны положительного заряда металла и против сил отталкивания от отрицательно заряженного электронного облака. Она приблизительно равна A в = e, где e - заряд электрона. Для этого электрон должен обладать достаточной кинетической энергией.
Минимальную работу A в, которую должен совершить электрон за счет своей кинетической энергии для того, чтобы выйти из металла и не вернуться в него, называют работой выхода .
Работа выхода зависит только от рода металла и его чистоты. Работу выхода принято измерять в электронвольтах (эВ).
Для чистых металлов A в составляет несколько электронвольт. Так, например, для цезия ее значение равно 1,81 эВ, для платины 6,27 эВ.
Выход свободных электронов из металла называется эмиссией электронов . При нормальных внешних условиях электронная эмиссия выражена слабо, так как средняя кинетическая энергия хаотического теплового движения большинства свободных электронов в металлах гораздо меньше работы выхода. Для повышения интенсивности эмиссии следует увеличить кинетическую энергию свободных электронов до значений, равных или больших значения работы выхода. Этого можно достигнуть различными способами. Во-первых, созданием электрического поля очень большой напряженности (E ~ 10 6 В/см), способного вырвать электроны из металла, - холодная эмиссия . Такая эмиссия используется в электронных микропроекторах. Во-вторых, бомбардировкой металла электронами, предварительно разогнанными электрическим полем до очень большой скорости, - вторичная электронная эмиссия . В-третьих, интенсивным освещением поверхности металла - фотоэмиссия . На явлении фотоэмиссии основан внешний фотоэффект и устройство вакуумного фотоэлемента. В-четвертых, нагревание металла - термоэлектронная эмиссия . Электроны, испускаемые нагретым телом, называются термоэлектронами , а само это тело - эмиттером .
Электронная эмиссия
испускание электронов поверхностью твёрдого тела или жидкости. Э. э. возникает в случаях, когда под влиянием внешних воздействий часть электронов тела приобретает энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера (См. Потенциальный барьер) на границе тела, или если под действием электрического поля поверхностный потенциальный барьер становится прозрачным для части электронов, обладающих внутри тела наибольшими энергиями. Э. э. может возникать при нагревании тел (Термоэлектронная эмиссия),
при бомбардировке электронами (Вторичная электронная эмиссия), ионами (Ионно-электронная эмиссия) или фотонами (Фотоэлектронная эмиссия).
В определённых условиях (например, при пропускании тока через полупроводник с высокой подвижностью электронов или при приложении к нему сильного импульса электрического поля) электроны проводимости могут «нагреваться» значительно сильнее, чем кристаллическая решётка, и часть из них может покинуть тело (эмиссия горячих электронов). Для наблюдения Э. э. необходимо создать у поверхности тела (эмиттера) внешне ускоряющее электроны электрическое поле, которое «отсасывает» электроны от поверхности эмиттера. Если это поле достаточно велико (≥ 10 2 в/см
),
то оно уменьшает высоту потенциального барьера на границе тела и соответственно работу выхода (Шотки эффект),
в результате чего Э. э. возрастает. В сильных электрических полях (Электронная эмиссия10 7 в/см
) поверхностный потенциальный барьер становится очень тонким и возникает туннельное «просачивание» электронов сквозь него (Туннельная эмиссия),
иногда называемое также автоэлектронной эмиссией. В результате одновременного воздействия 2 или более факторов может возникать термоавто- или фотоавтоэлектронная эмиссия. В очень сильных импульсных электрических полях (Электронная эмиссия 5․10 7 в/см
) туннельная эмиссия приводит к быстрому разрушению (взрыву) микроострий на поверхности эмиттера и к образованию вблизи поверхности плотной плазмы (См. Плазма). Взаимодействие этой плазмы с поверхностью эмиттера вызывает резкое увеличение тока Э. э. до 10 6 а при длительности импульсов тока в несколько десятков нсек
(взрывная эмиссия). При каждом импульсе тока происходит перенос микроколичеств (Электронная эмиссия 10 -11 г
) вещества эмиттера на анод. Лит.:
Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Бугаев С. П., Воронцов-Вельяминов П. Н., Искольдский А. М., Месяц С, А., Проскуровский Д. И., Фурсей Г. Н., Явление взрывной электронной эмиссии, в сборнике: Открытия в СССР 1976 года, М., 1977. Т. М. Лифшиц.
Большая советская энциклопедия. - М.: Советская энциклопедия . 1969-1978 .
Смотреть что такое "Электронная эмиссия" в других словарях:
Электронная эмиссия явление испускания электронов поверхностью твёрдого тела или жидкости. Типы эмиссии Термоэлектронная эмиссия Электронную эмиссию, возникающую в результате нагрева, называют термоэлектронной эмиссией (ТЭ). Явление ТЭ… … Википедия
Испускание электронов поверхностью конденсированной среды. Э. э. возникает в случаях, когда часть электронов тела приобретает в результате внеш. воздействия энергию, достаточную для преодоления потенц. барьера на его границе, или если внеш.… … Физическая энциклопедия
Испускание эл нов поверхностью конденсированной среды. Э. э. возникает в случаях, когда часть эл нов тела приобретает в результате внеш. воздействий энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера на его границе, или если внеш.… … Физическая энциклопедия
ЭЛЕКТРОННАЯ эмиссия, испускание электронов твердым телом или жидкостью под действием электрического поля (автоэлектронная эмиссия), нагрева (термоэлектронная эмиссия), электромагнитного излучения (фотоэлектронная эмиссия), потока электронов… … Современная энциклопедия
Большой Энциклопедический словарь
Электронная эмиссия - ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ, испускание электронов твердым телом или жидкостью под действием электрического поля (автоэлектронная эмиссия), нагрева (термоэлектронная эмиссия), электромагнитного излучения (фотоэлектронная эмиссия), потока электронов… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
электронная эмиссия - Испускание электронов с поверхности материала в окружающее пространство. [ГОСТ 13820 77] Тематики электровакуумные приборы … Справочник технического переводчика
электронная эмиссия - испускание электронов поверхностью твердого тела или жидкости. Электронная эмиссия возникает в случаях, когда под влиянием внешних воздействий часть электронов тела приобретает энергию, достаточную для преодоления… … Энциклопедический словарь по металлургии
Испускание электронов твердым телом или жидкостью под действием электрического поля (автоэлектронная эмиссия), нагрева (термоэлектронная эмиссия), электромагнитного излучения (фотоэлектронная эмиссия), потока электронов (вторичная электронная… … Энциклопедический словарь
Испускание электронов в вом. В зависимости от способа возбуждения различают след. осн. типы Э. э.: термоэлектронная эмиссия, фотоэлектронная эмиссия (см. Фотоэффект внешний), вторичная электронная эмиссия, автоэлектронная эмиссия … Большой энциклопедический политехнический словарь
Книги
- Взрывная электронная эмиссия , Г. А. Месяц , … Категория: Электричество и магнетизм
- Вторичная электронная эмиссия , И. М. Бронштейн , Б. С. Фрайман , Книга посвящена одному из вопросов современной физической электроники - вторичной электронной эмиссии. Рассмотрены методы измерений: коэффициента вторичной эмиссии (ВЭ), неупругого и упругого… Категория: Физика твердого тела. Кристаллография Серия: Физико-математическая библиотека инженера Издатель:
Для получения потока свободных электронов в электронных приборах имеется специальный металлический или полупроводниковый электрод — катод .
Для того чтобы электроны могли выйти за пределы катода, необходимо сообщить нм извне некоторую энергию, достаточную для преодоления противодействующих сил. В зависимости от способа сообщения электронам добавочной энергии различают такие виды электронной эмиссии:
- термоэлектронную , при которой дополнительная энергия сообщается электронам в результате нагрева катода;
- фотоэлектронную , при которой на поверхность катода воздействует электромагнитное излучение;
- вторичную электронную , являющуюся результатом бомбардировки катода потоком электронов или ионов, двигающихся с большой скоростью;
- электросатическую , при которой сильное электрическое поле у поверхности катода создает силы, способствующие выходу электронов за его пределы.
Рассмотрим более подробно каждый из перечисленных видов электронной эмиссии.
Термоэлектронная эмиссия. Явление термоэлектронной эмиссии было известно уже в конце ХVIII в. Ряд качественных закономерностей этого явления установили В. В. Петров (1812), Т. Л. Эдисон (1889) и др. К 30-м годам нашего столетия были определены основные аналитические зависимости термоэлектронной эмиссии.
При нагревании металла распределение электронов по энергиям в зоне проводимости изменяется (рис, 1, кривая 2). Появляются электроны с энергией, превышающей уровень Ферми. Такие электроны могут выйти за пределы металла, и результате чего возникает эмиссия электронов. Величина тока термоэлектронной эмиссии зависит от температуры катода, работы выхода и свойств поверхности (уравнение Ричардсона — Дэшмана):
где Jе — плотность тока эмиссий, А/см²; А — эмиссионная постоянная, зависящая от свойств излучаощей поверхности и равная для большинства чистых металлов — 40…70 А/(см² К²’); Т — абсолютная температура катода; е — основание натуральных логарифмов (е = 2,718); еφо — работа выхода электрона из металла, Дж; κ = 1,38 10‾²³ Дж/К — постоянная Больцмана.
Приведенное уравнение термоэлектронной эмиссии справедливо для металлов. Для примесных полупроводников существует несколько иная зависимость, однако качественно связь величины тока эмиссии с температурой и работой выхода остается такой же. Уравнение показывает, что величина тока эмиссии в наибольшей степени зависит от температуры катода. Однако при увеличении температуры резко возрастает скорость испарения материала катода и сокращается срок его службы. Поэтому катод должен работать в строго определенном интервале рабочих температур. Нижний предел температуры определяется возможностью получения требуемой эмиссии, а верхний — испарением или плавлением эмиттирующего материала.
Существенное влияние на величину тока эмиссии оказывает внешнее ускоряющее электрическое поле, действующее у поверхности катода. Это явление получило название эффекта Шоттки. На электрон, выходящий из катода, при наличии внешнего электрического поля действуют две силы — сила электрического притяжения, возвращающая электрон, и сила внешнего поля, ускоряющая электрон в направлении от поверхности катода. Таким образом, внешнее ускоряющее поле снижает потенциальный барьер, вследствие чего снижается работа выхода электронов из катода и увеличивается электронная эмиссия.
Фотоэлектронная эмиссия. Впервые явление фотоэлектронной эмиссии (или внешнего фотоэффекта) наблюдалось Г. Герцем в 1887 г. Экспериментальные исследования, позволившие установить количественные соотношения для фотоэлектронной эмиссии, были проведены А. Г. Столетовым в 1888 г. Основные закономерности фотоэффекта были объяснены А. Эйнштейном на основе фотонной теории света. В соответствии с этой теорией лучистая энергия может пропускаться и поглощаться не в виде непрерывного потока, а только определенными порциями (квантами), причем каждый квант обладает количеством энергии hv , где h — постоянная Планка, а v — частота излучения. Таким образом, электромагнитное излучение (видимый и невидимый свет, рентгеновское излучение и т. п.) представляет собой поток отдельных квантов энергии, получивших название фотонов. При падении на поверхность фотокатода энергия фотонов расходуется на сообщение электронам дополнительной энергии. За счет этой энергии электрон с массой me , совершает работу выхода Wo и приобретает начальную скорость Vo, что математически выражается уравнением Эйнштейна:
Электрон может выйти за пределы катода, если работа выхода меньше энергии кванта, так как лишь при этих условиях начальная скорость Vo , а следовательно и кинетическая энергия электрона:
Отметим основные особенности явления фотоэффекта:
- При облучении поверхности фотокатода лучистым потоком постоянного спектрального состава ток фотоэлектронной эмиссии пропорционален интенсивности потока (закон Столетова):
где Iф — величина фототока; Ф — величина лучистого потока; К — коэффициент пропорциональности, характеризующий чувствительность поверхности фотокатода к излучению.
- Скорость электронов, испускаемых фотокатодом, тем больше, чем больше частота v поглощаемого излучения; начальная кинетическая энергия фотоэлектронов возрастает линейно с возрастанием частоты v.
- Фотоэффект наблюдается только при облучении лучистым потоком с частотой V ≥ Vкр , где Vкр критическая частота, называемая «красной границей» фотоэффекта. Критическая длина волны:
, где с — скорость распространения электромагнитных волн. При λ > λк
, фотоэлектронная эмиссия отсутствует.
- Фотоэффект практически безынерционен, т. е. нет запаздывания между началом облучения и появлением фотоэлектронов (время запаздывания не превышает 3 10∧-9 с).
Как и в случае термоэлектронной эмиссии, увеличение напряженности внешнего электрического поля у фотокатода также увеличивает фотоэлектронную эмиссию за счет снижения потенциального барьера катода. При этом порог фотоэффекта смещается в сторону более длинных воли.
Чем меньше работа выхода металла, из которого изготовлен фотокатод, тем меньше величина пороговой частоты для данного фотокатода. Например, для того чтобы фотокатод был чувствителен к видимому свету, материал его должен иметь работу выхода меньше 3,1 эВ. Такая работа выхода характерна для щелочных и щелочноземельных металлов (цезий, калий, натрий). Для увеличения чувствительности фотокатода к другим диапазонам лучистых потоков используют более сложные типы полупроводниковых фотокатодов (щелочно-водородные, кислородно-цезиевые, сурьмяно-цезиевые и др.).
Вторичная электронная эмиссия . Механизм вторичной электронной эмиссии отличается от механизма термоэлектронной и фотоэлектронной эмиссии. Если при термоэлектронной и фотоэлектронной эмиссии электроны расположенные главным образом на уровнях зоны проводимости, то при бомбардировке поверхности катода первичными электронами или ионами их энергия может поглощаться и электронами заполненных зон. Поэтому вторичная эмиссия возможна как с проводников, так и с полупроводников и диэлектриков.
Наиболее важным параметром, характеризующим вторичную электронную эмиссию, является коэффициент вторичной эмиссии σ . Он представляет собой отношение числа вылетающих с поверхности катода вторичных электронов n2 , к числу падающих на катод первичным электронов n1, или же отношение тока вторичной элеронной эмиссии I2 к току первичных электронов I1 :
Вторичная электронная эмиссия применяется в некоторых электронным приборах — фотоумножителях, передающих телевизионных трубках, отдельным типах электронных ламп. Однако во многим случаям, в частности в большинстве электронных ламп, она нежелательна и ее стремятся уменьшить.
Электростатическая эмиссия. Если внешнее электрическое поле у поверхности катода имеет напряженность, достаточную для полной компенсации тормозящего действия потенциального барьера, то даже при низких температурах катода кожно получить значительную электронную эмиссию. Подсчитано, что для компенсации потенциального барьера напряженность у поверхности катода должка быть порядка 10∧8 В/см. Однако уже при напряженности поля порядка 10∧6 В/см наблюдается значительная электронная эмиссия с холодных поверхностей.
Техническое получение значений напряженности поля, достаточных для возникновения электростатической эмиссии, представляет значительные трудности. Поэтому электростатическая эмиссия в основном применяется в ионных приборах с жидким ртутным катодом. В этом случае достаточную напряженность поля кожно получить за счет создании вблизи поверхности катода слоя ионизированных паров ртути.
Источник - Гершунский Б.С. Основы электроники (1977)
Загрузка...